超薄芯片的双面暴露封装结构及其制造方法
2018年08月14日  阅读:358

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3、超薄芯片的双面暴露封装结构及其制造方法

    专利号:201703160             申请人:万国半导体(开曼)股份有限公司

发明人:龚玉平             

摘要:一种超薄芯片的双面暴露封装结构及其制造方法,将具有源极电极和闸极电极的芯片以倒装方式粘结到导线框架上,塑封芯片,研磨减薄塑封料和芯片的厚度,利用屏蔽在芯片背面沉积背面金属层,以线夹附着方式连接芯片背面和导线框架,从导线框架的顶面注入第二塑封料,对导线框架和芯片进行顶部暴露塑封,将连接芯片背面和导线框架的线夹暴露在第二塑封料的顶部,将导线框架的底面暴露在第二塑封料的底部,切割导线框架和第二塑封料以形成多个双面暴露的半导体封装结构。本发明采用了减薄的芯片结构,降低了电阻,并且将半导体组件的源极、闸极和汲极都暴露在塑封料之外,这种双面暴露的封装结构,大大提高了组件的散热性能。